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88858cc永利-安森美:深耕工业领域,以创新技术驱动行业发展

2025-08-15 12:22:07

“ 于工业范畴快速成长确当下,安森美依附其于功率器件、无线毗连芯片和智能功率模块等方面的技能上风,踊跃应答行业需求与挑战。近日,中电网采访了安森美电源方案事业部营业拓展 Sean Gao 及模仿与混淆旌旗灯号事业部营业拓展高级司理 Henry Yang,缭绕公司焦点技能、产物运用和市场结构等方面睁开深切会商。

于工业范畴快速成长确当下,安森美依附其于功率器件、无线毗连芯片和智能功率模块等方面的技能上风,踊跃应答行业需求与挑战。近日,中电网采访了安森美电源方案事业部营业拓展 Sean Gao 及模仿与混淆旌旗灯号事业部营业拓展高级司理 Henry Yang,缭绕公司焦点技能、产物运用和市场结构等方面睁开深切会商。

SiC工业范畴需求强劲

安森美于工业范畴的运用线路和与汽车范畴技能有哪些联系关系?Sean Gao阐发道,SiC于汽车电气化范畴的年夜范围运用,加快了自身技能成长及成本降低,将来工业范畴将成为其另外一主要增加点,如太阳能、伺服机电等场景。与Si IGBT等传统技能比拟,于一些工业运用中,限定采用SiC的重要因素仍旧是成本。

相较在消费电子、汽车等行业,工业运用对于功率器件于靠得住性、品质及产物生命周期等方面的要求独具特色。工业产物凡是设计导入周期长,要求功率器件的靠得住性高、品质不变。汽车产物对于安全的要求极高,需经由过程车规级测试,不外从提高能效及功率密度的角度来看,要用到的基本技能都差未几。例如,与电动汽车行业中提高车辆电压近似,SiC 技能也使太阳能发电场可以或许提高组串电压以和降低损耗,如安森美的EliteSiC M3e MOSFET 于靠得住且颠末现实验证的平面架构上显著降低了导通损耗及开关损耗。与前几代产物比拟,EliteSiC M3e可以或许将导通损耗降低 30%,并将关断损耗降低多达 50% 。经由过程延伸 SiC 平面 MOSFET 的寿命并使用 EliteSiC M3e 技能实现精彩的机能,安森美可以确保结实性及不变性,使其成为要害电气化运用的首选技能。就靠得住性而言,太阳能发电场及海优势力发电对于电气元件而言是极具挑战性的情况,而恰是于这些情况中,SiC技能撑持更高的温度、电压及功率密度及高频率运行,可以实现更靠得住、更小、更轻的体系。

低功耗蓝牙技能提供强盛撑持

于低功耗无线毗连芯片怎样撑持装备长途监控和保障安全性方面,Henry Yang 先容,安森美(onsemi)依附其低功耗蓝牙(BLE)技能,为装备长途监控提供了强盛撑持,于确保低功耗及安全性的同时实现了卓着机能。这此中安森美的RSL15 体现十分精彩。

RSL15是一款基在Arm Cortex -M33处置惩罚器的超低功耗安全BLE 5.2无线MCU,很是合适工业运用。依附内置电源治理、宽电源电压规模、矫捷的GPIO及时钟方案以和广泛的外围装备,RSL15可为高机能及超低功耗运用提供最年夜的设计矫捷性。

RSL15 经由过程EEMBC ULPMark -CoreMark 认证,创下蓝牙 5.2 能效新纪录。其睡眠模式功耗低至50 nA,共同立异的Smart Sense 模式,答应于深度睡眠时连续监测传感器数据(如 ADC 阈值触发叫醒),实现 监测 - 休眠 的动态功耗治理。例如于工业场景中,RSL15 可撑持传感器节点仅用一枚钮扣电池运行长达 10 年,极年夜降低维护成本。

蓝牙5.2 的达到角(AoA)及脱离角(AoD)技能付与RSL15 厘米级定位能力,合用在仓储资产追踪、病院装备治理等场景。同时,RSL15撑持多跳通讯,可经由过程网关与Wi-Fi、蜂窝收集协同,构建笼罩更广的长途监控收集。例如于医疗范畴,RSL15可将可穿着装备数据经由过程蓝牙传输至当地网关,再经云端实现跨区域患者康健监测。

同时,RSL15 Cortex-M33处置惩罚器配备TrustZone Armv8-M安全扩大,组成了安全平台的基础。可以撑持CryptoCell, TrustZone等加密手腕,实现端到真个整个生命周期密钥治理,答应开发定制的专有安全解决方案。

安森美RSL15 经由过程硬件级能效优化、精准定位能力、全链路安全防护,为装备长途监控提供了靠得住的端到端解决方案。

智能功率模块简化工业呆板人设计

对于在智能功率模块(IPM)及机电驱动 IC 于工业呆板人中怎样简化设计,Sean Gao 提到,安森美的 IPM 经由过程高度集成化设计等方式,有用简化工业呆板人机电驱动体系设计。

安森美的 EliteSiC SPM 31 IPM 系列恰是此类技能的代表,其全集成设计包括3路自力的上桥栅极驱动IC、下桥驱动和掩护电路 (LVIC)、六个EliteSiC MOSFET及一个温度传感器,简化设计并缩小电路板尺寸,于超紧凑封装内实现了超高能效与功率密度。

安森美的IPM经由过程硬件集成化、全链路掩护、东西链优化,从设计阶段到量产阶段周全降低工业呆板人的繁杂度,不仅满意当前高精度、高靠得住性的需求,更为下一代协作呆板人及AGV 提供了可扩大的平台。

踊跃应答工业装备能师法规进级

当触及工业装备能师法规进级对于芯片设计的新要求和安森美的应答之策时,Sean Gao指出,安森美经由过程宽禁带半导体技能冲破、智能功率模块(IPM)的集成化设计和端到端能效解决方案,周全应答法例要求,鞭策工业装备向高效、靠得住、低碳标的目的进级。

新一代功率半导体器件为满意这一需求提供了要害撑持。这些器件撑持更高的开关频率,实现了更低的导通损耗及开关损耗,从而晋升了整个机电驱动体系的效率。例如:如安森美推出的采用了新的场截止第7代(FS7)绝缘栅双极晶体管(IGBT)技能的1200V SPM31智能功率模块,与市场上其他领先的解决方案比拟,能效更高、尺寸更小、功率密度更高,于是整体体系成本更低,很是合适三相变频驱动运用,如热泵、商用暖通空调体系以和工业泵及电扇。而第7代1200V 800A QDual3 IGBT功率模块与其他同类产物比拟,功率密度更高,且提供高10%的输出功率,带来业界领先的能效体现,有助在降低体系成本并简化设计,也很是合适用在年夜功率工业机电驱动器。

安森美的EliteSiC 共源共栅结型场效应晶体管(Cascode JFET)的加强机能是当前人工智能数据中央、储能及直流快充等 AC-DC 电源单位中实现更高的效率的优质之选,该器件基在怪异的 共源共栅(Cascode) 电路配置 将常开型碳化硅JFET器件与硅MOSFET配合封装,形成一个集成化的常闭型碳化硅FET器件。咱们的碳化硅Cascode JFET可以或许轻松、矫捷地替换IGBT、超结MOSFET以和碳化硅MOSFET等任何器件类型,其低 RDS(ON)、低输出电容及高靠得住性等怪异上风,可以或许提供卓着的机能。碳化硅 Cascode JFET架构利用尺度硅基栅极驱动器,简化了从硅到碳化硅的过度过程,可于现有设计中实行。

安森美经由过程质料立异、架构优化(高集成 IPM)、东西赋能(参考设计/仿真),体系性应答能师法规进级带来的挑战。咱们不仅提供切合当前尺度的产物,更经由过程技能前瞻及开放生态,帮忙客户于将来 5-10 年连续满意更严苛的能效要求。

当地化技能团队快速相应需求

关在亚洲市场的技能撑持,Sean Gao 暗示,安森美于亚洲成立了笼罩多地的当地技能撑持团队,这些团队由经验富厚的工程师构成,能和时为工业客户提供技能咨询、方案设计、妨碍排查等全方位办事,年夜幅缩短问题解决周期,切实晋升客户满足度。

小结

从 SiC/GaN 等功率器件的立异运用,到低功耗无线毗连芯片的靠得住体现,再到智能功率模块对于设计的简化,以和对于能师法规进级的踊跃应答,安森美全方位结构工业范畴。于将来,安森美还有将紧跟工业范畴智能化、绿色化成长趋向,连续加年夜研发投入,摸索前沿技能与工业运用的深度交融,不停推出更具竞争力的产物与解决方案,助力工业范畴迈向更高质量的成长阶段。

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